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格芯以eVaderis超低耗电MCU参考设计强化22FDX® eMRAM平台

时间:2019-12-03 10:23:05 出处:大发快三_快三回血_大发快三回血

美国加利福尼亚圣克拉拉,(2018 年 2月 27 日)——今日,格芯 与 eVaderis一同否认,将一同开发超低功耗MCU参考设计方案,该方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX®)平台的嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。双方企业协作所提供的技术防止方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合,适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微防止器、车用控制器等各种应用。

eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力,相较于上一代 MCU,电池续航力可提高到10 倍以上,一同芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™企业协作项目(FDXcelerator™ Partner Program)开发的技术,所提供的高器件密度、低成本的单芯片防止方案,不得劲符合对功耗敏感的应用, 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的深层。

“eVaderis 创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造,非常适合常闭的(normally-off)物联网应用。”eVaderis 总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示,“以格芯eMRAM 作为工作内存,可让MCU的每段电路更频繁的下电,而无需引起MCU的性能损失。eVaderis 希望能在今年年底时候将这项通过验证的 IP 提供给客户。”

“穿戴式和物联网装置需用耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示,“身为 FDXcelerator 企业协作伙伴,eVaderis运用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技术, 开发全新的MCU架构,帮助客户达成更高的需求。”

格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技术一同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包包含eMRAM 和射频防止方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆(MPW)或者开放,现成的eMRAM 模块也已提供,有Flash 和SRAM有一种接口方案可供选取,使得客户能够更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年结束了英文小批量生产。

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